动态补偿柜可控硅炸毁原因？

闻见知行

某冲压车间的电容补偿投入时可控总是被炸掉，具体情况如下：
冲压车间设置两台变压器，一台1600kVA,补偿量为1100kVA，采用三相可控硅共补，电容器为三角形接线，电抗器电抗率为7%，可控硅前配置半导体快速熔断器。另一台类似。
负荷包括压力机、开卷落料线、输送线、机床及照明、通风、水泵等设备。负荷主要为压力机、开卷落料线。压力机、开卷落料线谐波含量稍大，预计含量为基波的30%以下。
在压力机、开卷落料线未投入，且变压器电流不到200A时，补偿一投入，可控硅就炸。

请大家帮忙分析一下原因。

Tricity

可控硅对过流敏感，可能是电容的合闸涌流太大了吧？

如果用常规接触器，一般会串一组限流电阻，先通过电阻接通电路，合闸完毕后电阻退出。

abclearner

不懂。串联电抗器不是也有限流作用吗？而且电抗器的瞬时限流作用似乎比电阻更好，据说如果仅为限流设电抗器，电抗率1%就够了，已经用了7%的电抗器，还有必要串电阻吗？另外，据说可控硅应该是主回路电压过0时导通的，极大限度的减小或避免了合闸涌流(这也是采用可控硅的优点之一)，按说涌流应很小啊，不解....  有没有可能是可控硅选择不合适？

L1L2L3

ABB是按变压器容量的30%来补充，合闸瞬间电容是相当短路，电抗器按道理是抑制短路电流，道理上变压器电机是感性负载，三角形按电路了理论可等效星形，谐波主要是非线性负载如变频、灯光等产生的，把等效电路画出就可也分析原因了，涉及到电压电流的角差，及快速傅里叶分解、检测传感器、晶体管技术、超前滞后技术，谐波的叠加是正叠加、还是负叠加——及原理类似源滤波技术